Transistor MOSFET Infineon canal N, TO-252 50 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 825-9370Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IPD079N06L3 G
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

50 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

TO-252

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

13,5 MΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.2V

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

79 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.223mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

22 nC @ 4,5 V

Hauteur

2.413mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Malaysia

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MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 50 A 60 V, 3 broches
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Prix ​​sur demande

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Transistor MOSFET Infineon canal N, TO-252 50 A 60 V, 3 broches
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13,5 MΩ

Mode de canal

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2.2V

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

79 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.223mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

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