MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 50 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13,5 MΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
79 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC @ 4,5 V
Largeur
6.223mm
Série
OptiMOS 3
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.413mm
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Pas de frais cachés !
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- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
79 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
22 nC @ 4,5 V
Largeur
6.223mm
Série
OptiMOS 3
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.413mm
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
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MOSFET Transistors, Infineon
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