MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 30 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 911-4997Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IPD30N10S3L34ATMA1Distrelec Article No.: 30408789
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

30 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Série

OptiMOS™-T

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

42 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.4V

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

57 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.5mm

Charge de Grille type @ Vgs

24 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

2.3mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Malaysia

Détails du produit

Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™T d'Infineon

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 1 062,63

€ 0,425 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 30 A 100 V, 3 broches

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30 A

Tension Drain Source maximum

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Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

42 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.4V

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

57 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.5mm

Charge de Grille type @ Vgs

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Température d'utilisation maximum

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Taille

2.3mm

Température de fonctionnement minimum

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