MOSFET Infineon canal N, A-247 38 A 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 897-7406Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IPW60R099C6FKSA1
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

37,9 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Série

CoolMOS™ C6

Type de conditionnement

TO-247

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

99 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

278 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

5.21mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

16.13mm

Charge de Grille type @ Vgs

119 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

21.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 13,33

€ 6,664 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)

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TO-247

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

99 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3.5V

Tension de seuil minimale de la grille

2.5V

Dissipation de puissance maximum

278 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

5.21mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

16.13mm

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119 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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Hauteur

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