MOSFET Infineon canal N, A-220 8.7 A 150 V, 5 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8.7 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
95 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
18000 mW
Configuration du transistor
Series
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.67mm
Largeur
4.83mm
Hauteur
9.02mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Série
HEXFET
Détails du produit
Transistor MOSFET audio numérique, Infineon
Les amplificateurs classe D deviennent rapidement la solution privilégiée pour les systèmes audio et vidéo professionnels et grand public. Infineon propose une gamme complète qui simplifie la conception des amplificateurs de classe D haute efficacité.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2
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Mode de canal
Enrichissement
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3V
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Series
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±20 V
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Si
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2
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150 °C
Longueur
10.67mm
Largeur
4.83mm
Hauteur
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Température de fonctionnement minimum
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Série
HEXFET
Détails du produit
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MOSFET Transistors, Infineon
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