Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
110 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Série
HEXFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
115 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Matériau du transistor
Silicium
Nombre d'éléments par circuit
1
€ 1 241,06
€ 0,414 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 1 241,06
€ 0,414 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,414 | € 1 241,06 |
| 6000+ | € 0,393 | € 1 179,69 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
110 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Série
HEXFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
115 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Matériau du transistor
Silicium
Nombre d'éléments par circuit
1


