IGBT, IRGP4063DPBF, , 96 A, 600 V, TO-247AC, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
96 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Nombre de transistors
1
Dissipation de puissance maximum
330 W
Format
Single
Type d'emballage
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.9 x 5.3 x 20.3mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Capacité de grille
3025pF
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
IGBT multiple, plus de 21 A, Infineon
Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), d'Infineon, fournissent à l'utilisateur une gamme complète d'options pour assurer la couverture de votre application. Les valeurs nominales de haut rendement permettent d'utiliser cette gamme d'IGBT dans un large éventail d'applications et de prendre en charge différentes fréquences de commutation grâce aux faibles pertes de commutation.
IGBT emballé avec une diode antiparallèle à récupération douce ultrarapide pour une utilisation dans les configurations de pont
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
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€ 3,91
€ 3,91 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,91 |
| 10 - 24 | € 3,80 |
| 25 - 49 | € 3,70 |
| 50 - 99 | € 3,61 |
| 100+ | € 3,51 |
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1
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Format
Single
Type d'emballage
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
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3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.9 x 5.3 x 20.3mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Capacité de grille
3025pF
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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