Relais statique Infineon PVN013, Montage en surface

N° de stock RS: 145-8869Marque: InfineonN° de pièce Mfr: PVN013SPBF
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Documents techniques

Spécifications

Type de montage

Surface Mount

Type de commutation

AC/DC

Type de sortie

MOSFET

Séries

PVN013

Dimensions

8.63 x 6.47 x 3.42mm

Température d'utilisation minimum

-40°C

Capacité

1pF

Longueur

8.63mm

Profondeur

6.47mm

Plage de température d'utilisation

-40 → +85°C

Pays d'origine

Philippines

Détails du produit

Sortie transistor - transistor FET et MOSFET, Infineon

La série PDV13, d'Infineon, est le remplacement à un pôle, normalement ouvert, statique pour les relais électromécaniques utilisés dans la commutation à usage général des signaux analogiques. Cette série utilise le MOSFET de puissance HEXFET, d'Infineon, comme commutateur de sortie, piloté par un générateur photovoltaïque à circuit intégré de nouvelle construction.

Fonctionnement sans rebond
Résistance état bloqué 1010
1 000 V/μsec dv/dt
Sensibilité en entrée 5 mA
Isolation E/S 4 000 Vrms
Relais statique fiables

Optocouplers, International Rectifier

Vous pouvez être intéressé par
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Prix ​​sur demande

Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

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Type de commutation

AC/DC

Type de sortie

MOSFET

Séries

PVN013

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8.63 x 6.47 x 3.42mm

Température d'utilisation minimum

-40°C

Capacité

1pF

Longueur

8.63mm

Profondeur

6.47mm

Plage de température d'utilisation

-40 → +85°C

Pays d'origine

Philippines

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Sortie transistor - transistor FET et MOSFET, Infineon

La série PDV13, d'Infineon, est le remplacement à un pôle, normalement ouvert, statique pour les relais électromécaniques utilisés dans la commutation à usage général des signaux analogiques. Cette série utilise le MOSFET de puissance HEXFET, d'Infineon, comme commutateur de sortie, piloté par un générateur photovoltaïque à circuit intégré de nouvelle construction.

Fonctionnement sans rebond
Résistance état bloqué 1010
1 000 V/μsec dv/dt
Sensibilité en entrée 5 mA
Isolation E/S 4 000 Vrms
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