Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
512Mbit
Type d'interface
CFI, Parallèle
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
56
Configuration
32 Mb x 16 bits
Type de montage
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Dimensions
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Nombre de mots
32M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
110ns
Nombre de bits par mot
16bit
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
€ 720,30
€ 7,915 Each (In a Tray of 91) (hors TVA)
91
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TSOP I
Nombre de broche
56
Configuration
32 Mb x 16 bits
Type de montage
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Dimensions
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Nombre de mots
32M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
110ns
Nombre de bits par mot
16bit
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.