SRAM CMS ISSI 4Mbit 256 k x 16 bits TSOP 44 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ISSITaille mémoire
4Mbit
Configuration
256K x 16 bit
Nombre de mots
256K
Nombre de bits par mot
16bit
Temps d'accès aléatoire maximum
10ns
Largeur de bus d'adresse
18bit
Faible consommation
Yes
Type de timing
Asynchronous
Type de montage
CMS
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
44
Dimensions
18.52 x 10.29 x 1.05mm
Hauteur
1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
10.29mm
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
3.135 V
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
18.52mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
RAM statique, ISSI
Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaverTM. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.
Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V
Boîtiers disponibles : BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
Choix de configuration disponibles : x8 et x16
Fonction EEC disponible pour SRAM asynchrone haute vitesse
SRAM (Static Random Access Memory)
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€ 583,48
€ 4,322 Each (In a Tray of 135) (hors TVA)
135
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
135
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| Quantité | Prix unitaire | Par Plateau |
|---|---|---|
| 135 - 270 | € 4,322 | € 583,48 |
| 405 - 540 | € 4,206 | € 567,84 |
| 675 - 1215 | € 4,095 | € 552,80 |
| 1350 - 3240 | € 3,99 | € 538,68 |
| 3375+ | € 3,89 | € 525,18 |
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Nombre de mots
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Nombre de bits par mot
16bit
Temps d'accès aléatoire maximum
10ns
Largeur de bus d'adresse
18bit
Faible consommation
Yes
Type de timing
Asynchronous
Type de montage
CMS
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
44
Dimensions
18.52 x 10.29 x 1.05mm
Hauteur
1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
10.29mm
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
3.135 V
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
18.52mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
RAM statique, ISSI
Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaverTM. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.
Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V
Boîtiers disponibles : BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
Choix de configuration disponibles : x8 et x16
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