SRAM CMS ISSI 16Mbit 1 Mb x 16 bits TSOP 48 broches

N° de stock RS: 170-2180Marque: ISSIN° de pièce Mfr: IS61WV102416BLL-10TLI
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Documents techniques

Spécifications

Brand

ISSI

Taille mémoire

16Mbit

Configuration

1 Mb x 16 bits

Nombre de mots

1M

Nombre de bits par mot

16bit

Temps d'accès aléatoire maximum

10ns

Largeur de bus d'adresse

20bit

Faible consommation

Yes

Type de timing

Asynchronous

Type de montage

CMS

Type de boîtier

TSOP I

Nombre de broche

48

Dimensions

18.6 x 12.2 x 1.05mm

Tension d'alimentation fonctionnement maximum

3.6 V

Hauteur

1.05mm

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Tension d'alimentation de fonctionnement minimum

2,4 V

Température d'utilisation maximum

85 °C

Longueur

18.6mm

Largeur

12.2mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

RAM statique, ISSI

Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaverTM. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.

Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V
Boîtiers disponibles : BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
Choix de configuration disponibles : x8 et x16
Fonction EEC disponible pour SRAM asynchrone haute vitesse

SRAM (Static Random Access Memory)

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€ 1 641,80

€ 17,102 Each (In a Tray of 96) (hors TVA)

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16bit

Temps d'accès aléatoire maximum

10ns

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Yes

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Asynchronous

Type de montage

CMS

Type de boîtier

TSOP I

Nombre de broche

48

Dimensions

18.6 x 12.2 x 1.05mm

Tension d'alimentation fonctionnement maximum

3.6 V

Hauteur

1.05mm

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Tension d'alimentation de fonctionnement minimum

2,4 V

Température d'utilisation maximum

85 °C

Longueur

18.6mm

Largeur

12.2mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

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Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaverTM. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.

Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V
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