SRAM CMS ISSI 4Mbit 256 k x 16 bits TSOP 44 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ISSITaille mémoire
4Mbit
Configuration
256K x 16 bit
Nombre de mots
256K
Nombre de bits par mot
16bit
Temps d'accès aléatoire maximum
55ns
Largeur de bus d'adresse
18bit
Faible consommation
Yes
Type de timing
Asynchronous
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
TSOP I
Nombre de broche
44
Dimensions
18.52 x 10.29 x 1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Taille
1.05mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
18.52mm
Largeur
10.29mm
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.5 V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Détails du produit
RAM statique, ISSI
Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaverTM. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.
Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V
Boîtiers disponibles : BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
Choix de configuration disponibles : x8 et x16
Fonction EEC disponible pour SRAM asynchrone haute vitesse
SRAM (Static Random Access Memory)
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Prix sur demande
Paquet de production (Plateau)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Yes
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Asynchronous
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
TSOP I
Nombre de broche
44
Dimensions
18.52 x 10.29 x 1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Taille
1.05mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
18.52mm
Largeur
10.29mm
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.5 V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Détails du produit
RAM statique, ISSI
Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaverTM. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.
Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V
Boîtiers disponibles : BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP
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