IGBT, IXA12IF1200PB, , 20 A, 1200 V, A-220, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSCourant continu de Collecteur maximum
20 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
85 W
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.66 x 4.82 x 16mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Détails du produit
IGBT Discretes, IXYS série XPT
La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.
Forte densité de puissance et faible Vce(sat)
RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale
Capacité de court-circuit pendant 10 μs
Coefficient de température positive en tension à l'état passant
Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option
Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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Type de conditionnement
A-220
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N
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Single
Dimensions
10.66 x 4.82 x 16mm
Température de fonctionnement minimum
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Température d'utilisation maximum
+125 °C
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IGBT Discretes, IXYS série XPT
La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.
Forte densité de puissance et faible Vce(sat)
RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale
Capacité de court-circuit pendant 10 μs
Coefficient de température positive en tension à l'état passant
Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option
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IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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