IGBT, IXGH30N120B3D1, , 50 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSCourant continu de Collecteur maximum
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 11,52
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 11,52 |
| 10+ | € 10,03 |
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Through Hole
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3
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Single
Température de fonctionnement minimum
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IGBT Discrétes, IXYS
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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