IGBT, IXGT30N120B3D1, , 50 A, 1200 V, TO-268, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSCourant continu de Collecteur maximum
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Type de conditionnement
TO-268
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Longueur
16.05mm
Largeur
14mm
Hauteur
5.1mm
Dimensions
16.05 x 14 x 5.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 22,91
€ 22,91 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 22,91 |
| 2 - 4 | € 21,78 |
| 5 - 9 | € 20,64 |
| 10 - 14 | € 19,93 |
| 15+ | € 19,01 |
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Nombre de broche
3
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Single
Longueur
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Largeur
14mm
Hauteur
5.1mm
Dimensions
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Température d'utilisation maximum
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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