Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType du produit
IGBT Module
Format
Single
Type de Boitier
Y4-M5
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
7
Température minimum de fonctionnement
80°C
Maximální provozní teplota
60°C
Largeur
34 mm
Longueur
94mm
Höhe
30mm
Détails du produit
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 337,31
€ 56,218 Each (In a Box of 6) (hors TVA)
6
€ 337,31
€ 56,218 Each (In a Box of 6) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
6
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType du produit
IGBT Module
Format
Single
Type de Boitier
Y4-M5
Typ kanálu
Type N
Nombre de broche
7
Température minimum de fonctionnement
80°C
Maximální provozní teplota
60°C
Largeur
34 mm
Longueur
94mm
Höhe
30mm
Détails du produit
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


