Module IGBT IXYSCanal-Type N Simple, 7 broches, Y4-M5

N° de stock RS: 168-4497Marque: IXYSN° de pièce Mfr: MDI75-12A3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

IXYS

Type du produit

Module IGBT

Format

Single

Type de Boitier

Y4-M5

Type de canal

Type N

Nombre de broche

7

Température d'utilisation minimale

80°C

Température d'utilisation maximum

60°C

Largeur

34 mm

Longueur

102mm

Taille

14.9mm

Détails du produit

Modules IGBT, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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€ 338,54

€ 56,423 Each (In a Box of 6) (hors TVA)

Module IGBT IXYSCanal-Type N Simple, 7 broches, Y4-M5

6

Disponible en multiples de 6
6€ 338,54
12€ 677,08
18€ 1 015,62
24€ 1 354,16
30€ 1 692,70
36€ 2 031,23
42€ 2 369,77
48€ 2 708,31
54€ 3 046,85
60€ 3 385,39
66€ 3 723,93
72€ 4 062,47
78€ 4 401,01
84€ 4 739,55
90€ 5 078,09

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7

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80°C

Température d'utilisation maximum

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Largeur

34 mm

Longueur

102mm

Taille

14.9mm

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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