Module IGBT, MID75-12A3, , 90 A, 1200 V, Y4 M5, 7 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSMaximální stejnosměrný proud kolektoru
90 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Gehäusegröße
Y4 M5
Format
Single
Type de montage
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
7
Configuration du transistor
Single
Rozměry
94 x 34 x 30mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Détails du produit
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
1
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Single
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Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
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Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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