Module IGBT, MII100-12A3, , 135 A, 1200 V, Y4 M5, 7 broches, Série
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSCourant continu de Collecteur maximum
135 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de conditionnement
Y4 M5
Format
Series
Type de montage
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
7
Configuration du transistor
Series
Dimensions
94 x 34 x 30mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
34mm
Détails du produit
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 72,89
€ 72,89 Each (hors TVA)
1
€ 72,89
€ 72,89 Each (hors TVA)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSCourant continu de Collecteur maximum
135 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de conditionnement
Y4 M5
Format
Series
Type de montage
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
7
Configuration du transistor
Series
Dimensions
94 x 34 x 30mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
34mm
Détails du produit
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.