IGBT, NGB8207ABNT4G, , 50 A, 365 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
LittelfuseCourant continu de Collecteur maximum
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
365 V
Tension Grille Emetteur maximum
±15V
Dissipation de puissance maximum
165 W
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.29 x 9.65 x 4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 9,60
€ 1,921 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Température de fonctionnement minimum
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IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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