MOSFET MagnaChip canal N, SOIC 13,1 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
MagnaChipType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13,1 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
23.7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
4.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,8 nC @ 10 V
Largeur
3.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Hauteur
1.5mm
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Transistor MOSFET basse tension (LV)
Ces transistors MOSFET basse tension (LV) fournissent une faible résistance à l'état passant et des performances de commutation rapides.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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SOIC W
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8
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
4.8 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
4.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,8 nC @ 10 V
Largeur
3.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Hauteur
1.5mm
Pays d'origine
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