Module IGBT, MPMC100B120RH, 100 A 1200 V, Canal-N 7DM-2, 7 broches Série
Documents techniques
Spécifications
Brand
MagnaChipCourant continu de Collecteur maximum
100 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
694 W
Type de conditionnement
7DM-2
Format
Series
Type de fixation
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broches
7
Vitesse de découpage
70kHz
Configuration du transistor
Series
Dimensions
94 x 48 x 22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Détails du produit
Modules IGBT, MagnaChip
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Configuration du transistor
Series
Dimensions
94 x 48 x 22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Pays d'origine
Korea, Republic Of
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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