Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23 (TO-236AB)
Courant direct continu maximum
250mA
Tension inverse de crête répétitive
110V
Configuration de diode
Anode commune
Type de redressement
Usage général
Type diode
Diode de commutation rapide
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
50ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
10A
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes de commutation petits signaux, Nexperia
Caractéristiques
Prend en charge les conceptions personnalisées de circuits à haute densité
Types à faible fuite et haute tension disponibles
Grandes vitesses de commutation
Capacité faible
Diodes and Rectifiers
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23 (TO-236AB)
Courant direct continu maximum
250mA
Tension inverse de crête répétitive
110V
Configuration de diode
Anode commune
Type de redressement
Usage général
Type diode
Diode de commutation rapide
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
50ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
10A
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes de commutation petits signaux, Nexperia
Caractéristiques
Prend en charge les conceptions personnalisées de circuits à haute densité
Types à faible fuite et haute tension disponibles
Grandes vitesses de commutation
Capacité faible


