Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
215mA
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
General Purpose
Type diode
Haut débit
Nombre de broches
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
4ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
4A
Détails du produit
Diodes de commutation petits signaux, Nexperia
Caractéristiques
Prend en charge les conceptions personnalisées de circuits à haute densité
Types à faible fuite et haute tension disponibles
Grandes vitesses de commutation
Capacité faible
Diodes and Rectifiers
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
Prix sur demande
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Paquet de production (Bobine)
100
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Brand
NexperiaType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
215mA
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
General Purpose
Type diode
Haut débit
Nombre de broches
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Silicon Junction
Temps de recouvrement inverse crête
4ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
4A
Détails du produit
Diodes de commutation petits signaux, Nexperia
Caractéristiques
Prend en charge les conceptions personnalisées de circuits à haute densité
Types à faible fuite et haute tension disponibles
Grandes vitesses de commutation
Capacité faible