Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
-65 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
125
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-80 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors PNP à usage général, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
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Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
-65 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
125
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-80 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit