MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 1,9 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 5,59
€ 0,28 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
€ 5,59
€ 0,28 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 140 | € 0,28 | € 5,59 |
| 160 - 740 | € 0,167 | € 3,34 |
| 760 - 1480 | € 0,16 | € 3,20 |
| 1500+ | € 0,127 | € 2,55 |
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N
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SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
0,83 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
6,4 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Hauteur
1mm
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