Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
225 mA
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.7mm
Hauteur
1.7mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 4,55
€ 0,455 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 4,55
€ 0,455 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,455 | € 2,27 |
| 25 - 45 | € 0,425 | € 2,12 |
| 50 - 95 | € 0,396 | € 1,98 |
| 100+ | € 0,307 | € 1,53 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
225 mA
Tension Drain Source maximum
250 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
3.7mm
Hauteur
1.7mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


