MOSFET Nexperia canal P, SOT-223 3 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
250 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.65 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Largeur
3.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.7mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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10
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P
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3 A
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Type de boîtier
SOT-223-5
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.65 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Largeur
3.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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