Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3 + Tab
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Base Emetteur maximum
-1,9 V
Tension Collecteur Base maximum
-80 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
-1.3 V
Courant de coupure Collecteur maximum
-0.00005mA
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Largeur
3.7mm
Hauteur
1.7mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors Darlington, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
60 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3 + Tab
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Base Emetteur maximum
-1,9 V
Tension Collecteur Base maximum
-80 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
-1.3 V
Courant de coupure Collecteur maximum
-0.00005mA
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Largeur
3.7mm
Hauteur
1.7mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Longueur
6.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


