MOSFET Nexperia canal P, SOT-323 150 mA 50 V, 3 broches

N° de stock RS: 792-0910Marque: NexperiaN° de pièce Mfr: BSS84AKW,115
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

150 mA

Tension Drain Source maximum

50 V

Type de boîtier

SOT-323

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

7,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.1V

Tension de seuil minimale de la grille

1.1V

Dissipation de puissance maximum

310 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

0,26 nC @ 5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 17,39

€ 0,174 Each (On a Reel of 100) (hors TVA)

MOSFET Nexperia canal P, SOT-323 150 mA 50 V, 3 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 100.

Production -

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Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 100
100€ 17,39
200€ 34,78
300€ 50,12
400€ 66,83
500€ 83,53
600€ 83,19
700€ 97,06
800€ 110,92
900€ 124,79
1000€ 138,65
1100€ 152,52
1200€ 166,38
1300€ 180,25
1400€ 194,11
1500€ 207,98

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
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300 - 500€ 0,167€ 16,71
600+€ 0,139€ 13,86

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P

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3

Résistance Drain Source maximum

7,5 Ω

Mode de canal

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Tension de seuil maximale de la grille

2.1V

Tension de seuil minimale de la grille

1.1V

Dissipation de puissance maximum

310 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

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