Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
400 mA
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
SOT-89
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
4.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2.6mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.6mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 3,30
€ 0,33 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 3,30
€ 0,33 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
400 mA
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
SOT-89
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
4.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2.6mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.6mm
Détails du produit


