Transistor, PNP Simple, -1 A, -150 V, SOT-223 (SC-73), 3 + Tab broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-150 V
Type de conditionnement
SOT-223 (SC-73)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Gain en courant DC minimum
100
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-200 V
Tension Emetteur Base maximum
-6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3 + Tab
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 8,77
€ 0,439 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 0,439 | € 8,77 |
| 40 - 80 | € 0,411 | € 8,23 |
| 100 - 180 | € 0,259 | € 5,18 |
| 200 - 380 | € 0,252 | € 5,05 |
| 400+ | € 0,247 | € 4,93 |
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Type de montage
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Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Gain en courant DC minimum
100
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-200 V
Tension Emetteur Base maximum
-6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
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Nombre de broche
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Pays d'origine
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Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
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