Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-500 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
-15 V
Type de boîtier
SSMini
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
15 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
280 MHz
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Dimensions
0.6 x 1.7 x 1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-500 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
-15 V
Type de boîtier
SSMini
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
15 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
280 MHz
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Dimensions
0.6 x 1.7 x 1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.


