Transistor, PNP Simple, 2,7 A, 60 V, SOT-23, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
2.7 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
1.1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-60 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
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Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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3
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1
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Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
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