Transistor, NPN Simple, 1 A, 40 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
40 V
Type de boîtier
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
450 mW
Gain en courant DC minimum
300
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
40 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
150 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors NPN basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction NPN à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 5,91
€ 0,236 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,236 | € 5,91 |
| 250 - 475 | € 0,213 | € 5,31 |
| 500+ | € 0,189 | € 4,72 |
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Type de boîtier
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Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
450 mW
Gain en courant DC minimum
300
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
40 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
150 MHz
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3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors NPN basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction NPN à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
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