Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
900 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
60 V
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Gain en courant DC minimum
250
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
220 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors NPN basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction NPN à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 2,60
€ 0,104 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 2,60
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
900 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
60 V
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Gain en courant DC minimum
250
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
220 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors NPN basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction NPN à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.


