Transistor, NPN Simple, 4 A, 80 V, UPAK, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
4 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type d'emballage
UPAK
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Gain en courant DC minimum
250
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
150 MHz
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors NPN basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction NPN à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 55,99
€ 0,56 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,56 | € 5,60 |
| 250 - 490 | € 0,525 | € 5,25 |
| 500 - 990 | € 0,486 | € 4,86 |
| 1000+ | € 0,443 | € 4,43 |
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NPN
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4 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type d'emballage
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Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Gain en courant DC minimum
250
Configuration du transistor
Single
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80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
150 MHz
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors NPN basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction NPN à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
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