Transistor, PNP Isolé, -1 A, -60 V, TSOP, 6 broches Dual
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-60 V
Type de conditionnement
TSOP I
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
185 MHz
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Dimensions
1 x 3.1 x 1.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 7,81
€ 0,39 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,39 | € 7,81 |
| 60 - 100 | € 0,352 | € 7,03 |
| 120+ | € 0,312 | € 6,23 |
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CMS
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700 mW
Gain en courant DC minimum
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Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
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6
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2
Dimensions
1 x 3.1 x 1.7mm
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Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
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