Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-2 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-20 V
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
480 mW
Gain en courant DC minimum
225
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 2,63
€ 0,263 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 2,63
€ 0,263 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,263 | € 2,63 |
100+ | € 0,134 | € 1,34 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-2 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-20 V
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
480 mW
Gain en courant DC minimum
225
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broches
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.