Transistor, PNP Simple, -2 A, -50 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches

N° de stock RS: 166-0519Marque: NexperiaN° de pièce Mfr: PBSS5350T,215
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Documents techniques

Spécifications

Type de transistor

PNP

Courant continu de Collecteur maximum

-2 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

-50 V

Type de boîtier

SOT-23 (TO-236AB)

Type de montage

CMS

Dissipation de puissance maximum

1.2 W

Gain en courant DC minimum

200

Configuration du transistor

Single

Tension Collecteur Base maximum

50 V

Tension Emetteur Base maximum

5 V

Fréquence de fonctionnement maximum

100 MHz

Nombre de broche

3

Nombre d'éléments par circuit

1

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Détails du produit

Transistors PNP basse tension de saturation

Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.

Bipolar Transistors, Nexperia

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€ 235,32

€ 0,078 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)

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Type de montage

CMS

Dissipation de puissance maximum

1.2 W

Gain en courant DC minimum

200

Configuration du transistor

Single

Tension Collecteur Base maximum

50 V

Tension Emetteur Base maximum

5 V

Fréquence de fonctionnement maximum

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3

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1

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

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Transistors PNP basse tension de saturation

Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.

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