Transistor, PNP Simple, -5 A, -40 V, SOT-223 (SC-73), 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-40 V
Type de boîtier
SOT-223 (SC-73)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
2 W
Gain en courant DC minimum
250
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
40 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
120 MHz
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 7,75
€ 0,388 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
€ 7,75
€ 0,388 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,388 | € 3,88 |
| 50+ | € 0,344 | € 3,44 |
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Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
2 W
Gain en courant DC minimum
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Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
40 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
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Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
1.7 x 6.7 x 3.7mm
Pays d'origine
China
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Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
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