Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de conditionnement
SOT
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Dual
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Rapport de résistance typique
21
Résistance base-émetteur
47KΩ
Dimensions
1.7 x 1.3 x 0.6mm
Résistance d'entrée typique
2.2 kΩ
Température d'utilisation maximum
150 °C
Prix sur demande
Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
Prix sur demande
Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
4000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de conditionnement
SOT
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Dual
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Rapport de résistance typique
21
Résistance base-émetteur
47KΩ
Dimensions
1.7 x 1.3 x 0.6mm
Résistance d'entrée typique
2.2 kΩ
Température d'utilisation maximum
150 °C


