Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de conditionnement
SOT-666
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Dual
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Rapport de résistance typique
4,7
Résistance base-émetteur
13kΩ
Dimensions
1.7 x 1.3 x 0.6mm
Résistance d'entrée typique
10 kΩ
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Malaysia
Prix sur demande
Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
Prix sur demande
Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
4000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de conditionnement
SOT-666
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Dual
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Rapport de résistance typique
4,7
Résistance base-émetteur
13kΩ
Dimensions
1.7 x 1.3 x 0.6mm
Résistance d'entrée typique
10 kΩ
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Malaysia


