Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-200 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
-40 V
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
60
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
40 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors petits signaux PNP, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-200 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
-40 V
Type de conditionnement
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
60
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
40 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit