Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de montage
CMS
Type de conditionnement
HUSON
Courant direct continu maximum
2A
Tension inverse de crête répétitive
20V
Configuration de diode
Cathode commune
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
420mV
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
55ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
9A
Pays d'origine
Hong Kong
Détails du produit
Diodes de barrière Schottky, 2A à 8A.
Haut rendement
Boîtiers de montage en surface ultra-compacts, bas profil
Optimisé pour les faibles chutes de tension directe (VF) et les hautes températures de jonction
Capacité faible
Pertes de commutation d'alimentation négligeables
Faible courant de fuite
Diodes and Rectifiers
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de montage
CMS
Type de conditionnement
HUSON
Courant direct continu maximum
2A
Tension inverse de crête répétitive
20V
Configuration de diode
Cathode commune
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
420mV
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
55ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
9A
Pays d'origine
Hong Kong
Détails du produit
Diodes de barrière Schottky, 2A à 8A.
Haut rendement
Boîtiers de montage en surface ultra-compacts, bas profil
Optimisé pour les faibles chutes de tension directe (VF) et les hautes températures de jonction
Capacité faible
Pertes de commutation d'alimentation négligeables
Faible courant de fuite


