MOSFET Nexperia canal N, TO-220AB 100 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.15V
Tension de seuil minimale de la grille
1.3V
Dissipation de puissance maximum
114 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
64 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
4.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
16mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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TO-220AB
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.15V
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Single
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±20 V
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Matériau du transistor
Si
Largeur
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