Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-35
Courant direct continu maximum
200mA
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Switching
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
4ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
4A
Pays d'origine
China
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
100
Prix sur demande
Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
100
Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de montage
Through Hole
Type de boîtier
DO-35
Courant direct continu maximum
200mA
Tension inverse de crête répétitive
100V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Switching
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
4ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
4A
Pays d'origine
China


