Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPConfiguration de diode
Series
Courant direct maximum
215mA
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de montage
CMS
Tension inverse maximum
100V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Technologie de diode
Silicon Junction
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Capacitance de diode maximum
1.5pF
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.1mm
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Pays d'origine
China
Prix sur demande
Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
Prix sur demande
Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
NXPConfiguration de diode
Series
Courant direct maximum
215mA
Nombre d'éléments par circuit
2
Type de montage
CMS
Tension inverse maximum
100V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Technologie de diode
Silicon Junction
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1.25V
Capacitance de diode maximum
1.5pF
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
Hauteur
1.1mm
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Pays d'origine
China


