Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-0.5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
45 V
Type de boîtier
SOT-23
Type de montage
CMS
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
80 MHz
Nombre de broche
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Rozměry
1 x 3 x 1.4mm
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de transistor
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-0.5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
45 V
Type de boîtier
SOT-23
Type de montage
CMS
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
80 MHz
Nombre de broche
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Rozměry
1 x 3 x 1.4mm


