Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
7 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
5 V
Type de boîtier
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
32 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
8 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
5 000 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, NXP
Bipolar Transistors, NXP
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
7 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
5 V
Type de boîtier
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
32 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
8 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Fréquence de fonctionnement maximum
5 000 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit


